mos场效应管p型和n型如何区分？
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发布时间：2022-03-02 04:52
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热心网友
时间：2022-03-02 06:22
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。
mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。
场效应管
简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 -
氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconctor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
场效应管的抗辐射能力强；
由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
作用
场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管可以用作可变电阻。
场效应管可以方便地用作恒流源。
场效应管可以用作电子开关。
热心网友
时间：2022-03-02 07:56
不过现实中，耗尽型的类型很少，而P沟道也比较少，最多的就是N沟道增强型MOSFET，也就是增强型N-MOSFET。
大部分MOS管的外观极其类似，常见的封装种类有TO252，TO220，TO92，TO3，TO247等等，但具体的型号有成千上万种，因此光从外观是无法区分的。对于不熟悉型号，经验又比较少的人来说，比较好的方法就是查器件的datasheet（pdf格式，一般是英文），里面会详细告诉你，它的类型和具体参数，这些参数对于你设计电路极有用。
我们区分类型，一般就是看型号，比如IRF530，IRF540，IRF3205，IRPF250等这些都是很常见的增强型N-MOSFET，而对应的IRF9530，IRF9540就是增强型P-MOSFET，耗尽型的两种，我至今还没在实际电路中看到过具体的器件。
前面一个朋友的说法有一些欠妥，比如结型管（J-FET）与MOSFET并不互相包含，反而是并列关系，这两种是场效应管的两种类型，而JFET也可以分成N-JFET和P-JFET两种，像2SK117，2SK596都是常见的N-JFET型号，不过P-JFET的具体型号我还没见过，一般都融入了集成电路设计（IC设计）中。
